고속 충전용 N채널 MOSFET G30n03D3 30V 30A DFN 패킷 트랜지스터

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고속 충전용 N채널 MOSFET G30n03D3 30V 30A DFN 패킷 트랜지스터

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N채널 MOSFET G30N03D3 30V 30A DFN 패키지형 고속 충전 트랜지스터 일반 설명 G30N03D3은 고급 트렌치 기술을 활용하여 탁월한 RDS(ON) 및 낮은 게이트 전하를 제공합니다. 그것은 사

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설명

기본정보
모델 번호.G30N03D3
리드타임4~6주
운송 패키지판지
사양DFN 패키지
등록 상표편안
기원중국
HS 코드8541290000
상품 설명
고속 충전을 위한 N채널 MOSFET G30N03D3 30V 30A DFN 패키지 트랜지스터
일반적인 설명 G30N03D3은 고급 트렌치 기술을 활용하여 탁월한 RDS(ON) 및 낮은 게이트 로딩을 제공합니다. 다양한 응용 분야에서 사용할 수 있습니다.

일반적 특성
일반 기능VDS 30 V ID(VGS = 10V에서) 30A RDS(ON)(VGS = 4.5V에서)<12 mΩ 100 % Lawinentest RoHS-konform

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N Channel Mosfet G30n03D3 30V 30A Dfn Package Transistor for Fast Charge

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