절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 IGBT G25t120d bis-247

제품

절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 IGBT G25t120d bis-247

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설명

기본정보
모델 번호.G25T120D
배치 번호2021
마르케bxdh
운송 패키지로르
등록 상표WXDH
기원중국 우시
HS 코드8541290000
상품 설명

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25t120d to-247

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25t120d to-247

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25t120d to-247

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25t120d to-247

매개변수상징평가단위
컬렉터-이미터 전압VCES1200V
게이트 이미터 전압VGES±20V
콜렉토르스트롬(T=25°C)50
콜렉토르스트롬(Tc=100℃)25
펄스 콜렉터 전류센티미터75
다이오드 연속 순방향 전류에프@TC = 100°C25
다이오드의 최대 순방향 전류FM75
총 전력 손실=25°C278
=100°C111
스팟 온도제이150
보관온도성병-55~150
형질
FS 트렌치 기술, 정온도 계수
낮은 포화 전압: VCE(도르프), 유형 = 2.0V
@ 나=25A 및 T= 100°C
극도로 향상된 눈사태 성능
응용
에어컨
용접
UPS
제품 사양 및 포장 모델
제품 모델포장 종류이름을 강조 표시RoHS 규제패키지군중
G25T120DTO-247G25T120D블레이프레이로르300/판지

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25t120d to-247