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Gc11n65K 650V 11A 고전압 초접합 MOSFET 트랜지스터
개요 제품 설명 고전압 초접속 MOSFET 트랜지스터 GC11N65K 650V 11A 효율성: 경부하 및 전체 부하에서 더 높은 효율, 극히 낮은 Rdson 및 Qg, 효과적으로 손실을 줄입니다. 낮은
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기본정보
모델 번호. | GC11N65K |
재료 | 규소 |
Vdss | 650V |
ID | 11A |
RDS | 360미스터 |
PD | 78W |
패키지 | 비스-220 |
공유하다 | 재고 |
조사 | 사용 가능 |
블레이프레이-상태 | 블레이프레이 |
Spq | 2500개/롤 |
운송 패키지 | 로르 |
등록 상표 | 편안 |
기원 | 중국 |
HS 코드 | 8541290000 |
상품 설명
고전압 초접합 MOSFET 트랜지스터 GC11N65K 650V 11A
효율성: 경부하에서 더 높은 전체 부하 효율, 극도로 낮은 Rdson 및 Qg는 손실을 효과적으로 줄입니다. 낮은 온도 상승: 낮은 전력 소비, 전원 공급 장치의 전체 작동 온도를 효과적으로 낮추고 전원 공급 장치의 수명을 연장합니다. 높은 안정성: 평면 제조 공정, 강력한 EAS 기능은 SJ MOS 그루브 공정과 비교하여 감전으로부터 보다 효과적인 보호 기능을 제공하고 고온 안정성을 크게 향상시킵니다. 더 나은 EMI 성능.
품목 번호 | GC11N65k |
VDSS | 650V |
ID | 11A |
RDS | 360mΩ bei vgs=10V |
Vth | 2,5 ~ 4V |
패키지 | TO-220 |
시스 | 901pF |
크르스 | 5,5pF |
포장 및 배송
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