탄탈륨 금속 케이스가 포함된 50000UF 10V 습식 탄탈륨 커패시터
개요 제품 설명 1. 레이저 용접, 가스 씰, 전체 탄탈륨 쉘, 원통형, 동일한 방향 흡입, 소량, 대용량, 긴 서비스 수명.2. 단위 부피당 높은 에너지 밀도
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기본정보
모델 번호. | THC1010M503H-M |
전해질 | 전해 |
사용 | 저주파 커플링, 고주파 커플링, 튜닝, 필터, 저주파 바이패스, 고주파 바이패스 |
필터 | 액체 탄탈륨 커패시터 |
체결방식 | 방사형 |
전압 - 공칭 전압 | 10V |
손실계수(Df) | 180% |
등가 직렬 저항 | 0.05옴 |
DC-렉스트롬(Dcl) | 150ua |
최대 무게 | 68g |
매개변수 조정 | 수용하다 |
운송 패키지 | 판지 |
사양 | Ø 36mm * 10mm |
등록 상표 | XJ |
기원 | 중국 |
HS 코드 | 8532219000 |
생산 능력 | 50,000개/년 |
상품 설명
1. 레이저 용접, 가스 씰, 전체 탄탈륨 쉘, 원통형, 동일 방향 추출, 소량, 대용량, 긴 서비스 수명.2. 단위 부피당 에너지 밀도가 높기 때문에 에너지 변환 회로에서 배터리 역할을 할 수 있어 회로에 에너지 저장, 전력 지연 및 필터 기능을 제공할 수 있습니다.3. 이는 중국 항공우주과학기술공사 제1연구소와 같이 신뢰성이 높은 항공기, 전자 제품, 레이더 및 기타 전자 장치의 DC, 리플 및 낮은 리플 회로에 적합합니다.4. 구현 표준: GJB733A-96, Q/PWV30001A-20145. 주문 형식: THC1010M503H: 100개
명세서 | 정격전압(V) | 공칭 정전 용량(μF) | tg δ 최대(%)100Hz(25°C | ESR최대(Ω)1kHz(25°C) | 렉스트롬 최대. (μA) (25°C) | 최대 렉스트롬(μA)(85°C) | 렉스트롬 최대. (μA) (125°C) | 임피던스최대(Ω)100Hz(-55°C) | 용량변화율(%)(-55°C) | 용량변화율(%)(85°C) | 크기(mm) | 최대 중량(g) |
THC1010M503H | 10 | 50000 | 180 | 0,05 | 150 | 2100 | 2100 | 1 | -80 | 160 | Φ36×10 | 68 |
THC1016M303H | 16 | 30000 | 160 | 0,05 | 150 | 2100 | 2100 | 1 | -80 | 160 | Φ36×10 | 68 |
THC1025M183H | 25 | 18000 | 120 | 0,05 | 150 | 2100 | 2100 | 1 | -75 | 150 | Φ36×10 | 68 |
THC1035M113H | 35 | 11000 | 90 | 0,065 | 150 | 2100 | 2100 | 1 | -70 | 140 | Φ36×10 | 68 |
THC1050M802H | 50 | 8000 | 65 | 0,1 | 170 | 2720 | 2720 | 1.2 | -60 | 120 | Φ36×10 | 68 |
THC1063M402H | 63 | 4000 | 45 | 0,1 | 170 | 2720 | 2720 | 1.4 | -50 | 80 | Φ36×10 | 68 |
THC1080M282H | 80 | 2800 | 40 | 0,1 | 200 | 3200 | 3200 | 1.6 | -40 | 80 | Φ36×10 | 68 |
THC1100M192H | 100 | 1900 | 35 | 0,125 | 200 | 3200 | 3200 | 1.8 | -30 | 60 | Φ36×10 | 68 |
THC1110M152H | 110 | 1500 | 35 | 0,2 | 200 | 3200 | 3200 | 2 | -25 | 50 | Φ36×10 | 68 |